编辑按：由于AMD的K8处理器将内存控制器集成在CPU的内部，所以使得内存参数的可以调节参数突然间暴增。对于不少用户来说，这样数目繁多的内存参数，仅仅看上去已经头昏眼花，更别提如何更好的优化参数了。在这样的情况下，我们收集整理了一系列内存参数的相关信息，并且给出相关的建议调节选项。希望读者可以从中获得相应的信息。信息收集整理自国外网站与论坛。

　　当越来越多的用户选择了NF4芯片组的主板后，会发现其BIOS的内存参数调节选项比以前的更加丰富了。但一部分用户也会产生困惑，他们并不了解这些新的内存参数，于是只好采取了Auto设置。然而，内存子系统对PC整体性能是至关重要的，为了发挥出主板的全部潜力，我们有必要手动优化一下设置。这篇文章的目的就是为大家提供一个详细的内存参数设置指南，采用的主板是目前非常受发烧友欢迎的DFI NForce4（LanParty UT nF4 Ultra-D & LanParty nF4 SLI-DR）。

　　即使是DFI随主板提供的说明书，关于内存参数的设置也没怎么解释。或许下面的说明对部分用户是不必要的，但我相信，有信息好过无信息。虽然一些参数解释起来很困难，但我会尽最大的努力说得通俗一点，便于大家理解。

　　注意：首先声明，下面的设置说明不可能对每位用户都适用。我只是向使用NF4的用户提供一些信息。我使用的内存是CorsairBH-5，当然，对于广大超频热衷的三星TCCD内存芯片，无论是电压还是参数，情况肯定会有所不同。此外，这篇文章是我从各个网站收集了信息之后，汇总，编辑。

特别感谢以下网站提供的信息：

http：//www.rojakpot.com/
http：//www.lostcircuits.com/
http：//www.tomshardware.com/
http：//www.anandtech.com/
　　此外还有各个论坛上网友提供的宝贵信息。

CASLatency Control（tCL）

Settings = Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5

　　这是最重要的内存参数之一，通常玩家说明内存参数时把它放到第一位，例如3-4-4-8@275mhz，表示cl为3。通常2可以达到更好的性能，但3能提供更佳的稳定性。值得注意的是，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。

　　CAS表示列地址寻址（Column Address Strobe or Column Address Select），CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

　　这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2。5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。

影响：主要影响稳定性，轻微影响带宽

建议设置：1.5，2，2.5，和3

RAS#to CAS# Delay（tRCD）

Settings = Auto， 0， 1， 2， 3， 4， 5， 6， 7。

　　这个是说明内存参数时排到第二位的数值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRCD为4。

　　该参数可以控制内存行地址选通脉冲（RAS，Row Address Strobe）信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3。同样的，调高此参数可以允许内存运行在更高的频率上，用户超频内存遇到困难时可以尝试提高tRCD。

影响：主要影响带宽和稳定性

建议设置： 2-5。2能达到最高性能，为达到内存最高频率可设为4或5。

MinRAS# Active Timing（tRAS）

Settings = Auto， 00， 01， 02， 03， 04， 05， 06， 07， 08， 09， 10，11， 12， 13， 14， 15。
　　这个是说明内存参数时排到第四位的数值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRAS为8。

　　这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数（tRAS），它表示一个行地址从激活到复位的时间。tRAS过长，会严重影响性能。减少tRAS可以使得被激活的行地址更快的复位，然而，tRAS太短也会造成不够时间完成一次突发传送，数据会丢失或者覆盖。最佳设置是越低越好。通常，tRAS应该设为tCL+tRCD+2个时钟周期。例如如果tCL和tRCD分别为2和3个时钟周期，则最佳的tRAS值为7。但如果产生内存错误或系统不稳定，就必须提高tRAS值了。

　　事实上tRAS是极具争议的一个数值。很多人认为00，05或者10是最快最稳定的。但这也未必对每个用户都适用，它根据内存有所不同。通常设为10后内存能达到最好的超频能力。

影响：轻微影响带宽和稳定性

建议设置：00，5-10。

RowPrecharge Timing（tRP）

Settings = Auto， 0， 1， 2， 3， 4， 5， 6， 7
　　这个是说明内存参数时排到第三位的数值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRP为4。

　　tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。因此，在稳定的前提下建议tRP设为2，万一不够稳定就必须增加到3或4。

影响：主要影响带宽和稳定性

简直设置：2-4。2为最佳性能，4-5能达到内存的极限频率。

RowCycle Time（tRC）

Settings = Auto， 7-22，步进为1。

　　这个参数用来控制内存的行周期时间。tRC决定了完成一个完整的循环所需的最小周期数，也就是从行激活到行充电的时间。根据方程，tRC=tRAS+tRP。因此，在设定tRC之前，必须参考一下tRAS和rRP的数值。如果行周期时间过长，会延迟完成一个周期后激活新的行地址的时间。然而，太短会导致被激活的行还未充分充电就开始下一个初始化，这样会造成数据丢失或覆盖。一般情况下根据tRC= tRAS + tRP 把tRC设为一个较低的值，例如tRAS为7个时钟周期，tRP为4个时钟周期，则理想的tRC值为11。

影响：主要影响稳定性和内存带宽

建议设置：7为最佳性能，15-17为超频建议参数，可以从16开始逐步调低直到稳定。记住公式tRC = tRAS +tRP 。

RowRefresh Cycle Time（tRFC）

Settings = Auto， 9-24 ，步进为1。

　　这个设定代表在同一bank中刷新一个单独的行所需的时间。同时还是同一bank中两次刷新指令的间隔时间。tRFC应该比tRC高。

影响：主要影响内存带宽和稳定性。

建议设置：通常不能达到9，而10为最佳设置。17-19是内存超频建议值。可以从17开始逐步往下调节。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。

Rowto Row Delay（也称为RAS to RAS delay）（tRRD）

Settings = Auto， 0-4，步进1

　　此参数表示连续的激活指令到内存行地址的最小间隔时间，也就是预充电时间。延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。对于桌面电脑，建议使用2个时钟周期的延迟，此时的数据膨胀可以忽视。tRRD设为2可以提高DDR内存的读写性能，当2才稳定时才应该设为3。

影响：轻微影响内存带宽和稳定性

建议设置：00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。

WriteRecovery Time（tWR）

Settings = Auto， 2， 3。

　　tWR表示，在一个内存bank被充电之前，一个有效的写操作完成后延迟的时间。这个延迟保证了在充电之前写缓冲里的数据就能被写入内存单元。延迟越短，说明花更少的时间就能对下一次读写操作充电，但同时也有覆盖数据的可能。我的建议是，使用DDR266和DDR200时可以设为2，但DDR333和DDR400可能不一定稳定，这样就必须设为3。总之在稳定的前提下尽量降低延迟。

影响：轻微影响内存带宽和稳定性

建议设置：2为最佳性能，超频用户可以考虑3。

Writeto Read Delay（tWTR）

Settings = Auto， 1， 2

　　这个参数控制写数据到读指令的延迟，它表示在同一bank中，最近的一次有效写操作到下一次读指令间隔的时钟周期。1个时钟周期自然可以提供从读到写更快速的切换。设为2会影响读数据的速度，但但提高稳定性，尤其是高频时。换句话说，对内存超频的玩家，我们建议设为2。通常DDR266和DDR333都能稳定运行在1，这样内存的读速度会更快。当然DDR400的用户也能尝试着设为1，但如果不稳定就必须降到2了。

　　tWTR表示读到写的延迟。三星把这个参数称之为TCDLR（last data in to read command），JDED规格中把它定为一个时钟周期。

影响：轻微影响内存带宽和稳定性

建议设置：1是最佳性能，超频内存时建议设为2。

Readto Write Delay（tRTW）

Settings = Auto， 1-8 ，步进1

　　tRTW不是一个标准的内存时序参数，当内存控制器接收到一个读指令后立即又收到一个写指令，在写指令执行之前，会产生一个额外的延迟。较低的延迟可以提高内存子系统的写速度。如果想快速的完成读到写的转换，建议设为1个时钟周期。但显然并非所有的内存都能达到这个要求，不稳定时也会出现数据覆盖的错误。

影响：轻微影响内存带宽和稳定性

建议设置：1是最好性能，超频用户建议为4。普通用户在稳定的基础上选用1。

RefreshPeriod（tREF）

Settings = Auto， 0032-4708 ，步进非固定值。us为微秒

1552= 100mhz（?.?us）
2064= 133mhz（?.?us）
2592= 166mhz（?.?us）
3120= 200mhz（?.?us）（BH-5/6的建议值，频率可达到250+MHz）
--------------------
3632= 100mhz（?.?us）
4128= 133mhz（?.?us）
4672= 166mhz（?.?us）
0064= 200mhz（?.?us）
--------------------
0776= 100mhz（?.?us）
1032= 133mhz（?.?us）
1296= 166mhz（?.?us）
1560= 200mhz（?.?us）
--------------------
1816= 100mhz（?.?us）
2064= 133mhz（?.?us）
2336= 166mhz（?.?us）
0032= 200mhz（?.?us）
--------------------
0388= 100mhz（15.6us）
0516= 133mhz（15.6us）
0648= 166mhz（15.6us）
0780= 200mhz（15.6us）
---------------------
0908= 100mhz（7.8us）
1032= 133mhz（7.8us）
1168= 166mhz（7.8us）
0016= 200mhz（7.8us）
---------------------
1536= 100mhz（3.9us）
2048= 133mhz（39us）
2560= 166mhz（3.9us）
3072= 200mhz（3.9us）
---------------------
3684= 100mhz（1.95us）
4196= 133mhz（1.95us）
4708= 166mhz（1.95us）
0128= 200mhz（1.95us）

　　这个参数是用来设定刷新的间隔时间，除了Auto选项，还有非常多的选项可以选择。Auto表示根据内存的SPD信息来设定，通常是一个很慢的值，为了保证最好的兼容性。数值越高表示性能越好，最高可以达到128us，但太高的值可能导致内存数据丢失，因此我们可以一点一点的增加来得到最理想的数值，前提也是系统足够稳定。

　　另外根据早期的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。每个bit都能随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15。6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15。6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15。6usX2048行=32ms。

影响：轻微影响稳定性和内存带宽

建议设置：根据经验，tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。通常15。6us和3。9us都能稳定运行，1。95us会降低内存带宽。此外还有很多未知的值（?。?us），大多数用户发现3120=200mhz（?。?us）是一个既稳定性能又好的设置，但也同使用的内存芯片有关。
WriteCAS# Latency（tWCL）

Settings = Auto， 1-8

　　SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。tWCL表示写入的延迟，除了DDRII，一般可以设为1T，这个参数和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL表示读的延迟。

影响：主要影响稳定性，对带宽影响未知。

建议设置：一般用户设为Auto或者1。

DRAMBank Interleave

Settings = Enable， Disable
　　这个设置用来控制是否启用interleave模式。Interleave模式允许内存bank改变刷新和访问周期。一个bank在刷新的同时另一个bank可能正在访问。实践表明，由于所有的内存bank的刷新周期都是交叉排列的，这样会产生一种流水线效应。然而，interleave模式只有在出现连续的不同bank的寻址请求时才会起作用，如果处于同一bank，数据处理时和不开启interleave一样。CPU必须等待第一个数据处理结束和内存bank的刷新，这样才能发送另一个地址。目前所有的内存都支持interleave模式，在可能的情况下我们建议打开此项功能。

影响：主要影响带宽和稳定性

建议设置：Enable。Disable会严重影响带宽。

DQSSkew Control

Settings = Auto， Increase Skew， Decrease Skew

　　稳定的电压可以使内存达到更高的频率，电压浮动会引起较大的时间差（skew），加强控制力可以减少skew，但相应的DQS（数据控制信号）上升和下降的边缘会出现电压过高或过低。一个额外的问题是高频信号会引起追踪延迟。DDR内存的解决方法是通过简单数据选通脉冲来增加时钟推进。DDRII引进了更先进的技术：双向的微分I/O缓存器来组成DQS。微分表示用一个简单脉冲信号和一个参考点来测量信号，而并非信号之间相互比较。理论上提升和下降信号应该是完全对成的，但事实并非如此。时钟和数据的失谐就产生了DQ-DQSskew。

影响：轻微影响内存带宽和稳定性

建议设置：Increase性能好，Decrease稳定性好。

DQSSkew Value

Settings = Auto， 0-255 ，步近为1。

　　当我们开启了DQS skew control后，这选项用来设定增加或减少的数值。这个参数并不灵敏。

影响：轻微影响带宽和稳定性

建议设置：由于此参数不灵敏，开启"Increase Skew"可设为50-255。

DRAMDrive Strength

Settings = Auto， 1-8 ，步进为1。

　　这个参数用来调节内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高，增加信号强度可以提高超频的稳定性。但是并非信号强度高就一定好，三星的TCCD内存芯片在低强度信号下性能更佳。

　　如果设为Auto，系统通常会设定为一个较低的值。对使用TCCD的芯片而言，表现会好一些。但是其他的内存芯片就并非如此了，根据在DFINF4主板上调试和测试的结果，1 3 5 7都是性能较弱的参数，其中1是最弱的。2 4 6 8是性能较好的参数。TCCD建议参数为3 5或7，其他芯片的内存建议设为6或8。

影响：主要影响稳定性

建议设置：TCCD建议参数为3 5或7，其他芯片的内存建议设为6或8。

DRAMData Drive Strength

Settings = Levels 1-4， 步进为1。
　　这个参数决定了内存数据总线的信号强度，数值越高，信号越强。要处理大负荷的数据流时，需要提高内存的驾驭能力，你可以设为Hi或者High。超频时，调高此项参数可以提高稳定性。此外，这个参数对内存性能几乎没什么影响。所以，除非超频，一般用户建议设为Lo/Low。

影响：主要影响稳定性

建议设置：普通用户建议使用level 1或3，如果开启了CPC，可能任何高于1的参数都会不稳定。部分用户开启CPC后能运行在3。更多的人关闭CPC后2-4都能够稳定运行。当然最理想的参数是开启CPC后设为level4。

MaxAsync Latency

Settings = Auto， 0-15 步进为1。

　　目前我还没能找到任何关于此项参数的说明，不知道其功能。感觉网友的经验，在进行Everest的LatencyTest时，可以看出一些差别。在我的BH-6上，参数从8ns到7ns在Latency Test的测试结果中有1ns的区别。从7ns调低6ns后，测试结果又减少了2ns。

影响：轻微影响带宽和稳定性

建议设置：BIOS中的默认值为7ns，建议大家在5-10之间调节。6ns对内存的要求就比较高了，建议使用BH-5和UTT芯片的用户可以尝试一下，但对TCCD不适用。7ns的要求低一些，UTT和BH-5设为7n比较适合超频。8ns对UTT和BH-5就是小菜一碟，8ns时TCCD通常能稳定运行在DDR600，如果想超频到DDR640+就必须设为9ns甚至更高了。

ReadPreamble Time

Settings = Auto， 2.0-9.5ns，步进为0.5。

　　这个参数表示DQS（数据控制信号）返回后，DQS又被开启时的时间间隔。Samsung早期的显存资料显示，这个参数是用以提升性能的。DQS信号是双向的，无论从图形控制器到DDRSGRAM还是从DDR SGRAM都起作用。

影响：轻微影响内存带宽和稳定性

建议设置：Auto其实就是5ns，建议值为4-7ns，越低越好。

IdleCycle Limit

Settings = Auto， 0-256 ，步进不定

　　这个参数表示强制关闭一个内存页面前的memclock数值，也就是读一个内存页面之前重充电的最大时间。

影响：轻微影响带宽，主要影响稳定性。

建议设置：普通内存建议使用Auto。好内存建议尝试16-32，我的BH-5能稳定运行在16。

DynamicCounter

Settings = Auto， Enable， Disable。

　　如果开启这个功能，系统迫使每进入一个内存页面之前调节内部周期限制。也就是说这个参数和前一个idle cyclelimit是密切相关的，启用后会屏蔽掉idle cycle limit，并且根据冲突的发生来动态调节。

影响：轻微影响内存带宽和稳定性/主要影响内存带宽和稳定性（根据内存芯片）

建议设置：通常Auto就是Disable了。开启后能提升一点性能，关闭后系统更稳定。有一次我开启后系统就崩溃了，然后我不得不调节其他的参数。

R/WQueue Bypass

Settings = Auto， 2x， 4x， 8x， 16x。
　　此参数表示在判忧器复写和最后一个操作选择之前，DCI（Device control Interface）的读/写队列的操作时间，和idle cyblelimit比较类似，但这个参数还会影响内存页面的读/写队列。

影响：轻微影响内存带宽，主要影响稳定性。

建议设置：默认的是16x，也是性能最好的参数。但如果不稳定，或者要超频，就只有降低到8X甚至更低。

BypassMax

Settings = Auto， 0x-7x 步进为1
　　此项参数表示判优器选择否决之前，进入DCQ（Dependence Chain Que?）的迂回时间。仔细研究后，我觉得这个参数会影响内存到CPU的连接。

影响：轻微影响内存带宽和稳定性

建议设置：默认参数为7X。建议4X-7X，此时性能不俗稳定性也不差。

32Byte Granulation

Settings = Auto， Disable （8burst）， Enable （4burst）。
　　当必须选择突发计数器时并且是32字节的访问时，这个参数可以优化数据总线的带宽。关闭后达到最佳性能。

影响：轻微影响带宽，主要影响稳定性。

建议设定：大多数情况下，Auto和Disable一样，都是8burst。我还是建议设为Disable，不稳定就设为4burst。

总结

　　最后，我们把以上参数汇总，便于大家浏览。祝各位玩家都能找到最适合自己系统的内存参数设置，发掘出系统的所有性能。

参数名称	对带宽的影响	对稳定性的影响
Dram Frequency Set(Mhz)	较大
Command Per Clock(CPC)	较大	较大
CAS Latency Control(tCL)	轻微	较大
RAS# to CAS# Delay(tRCD)	较大	较大
Min RAS# Active Timing(tRAS)	轻微	轻微
Row Precharge Timing(tRP)	较大	较大
Row Cycle Time(tRC)	较大	较大
Row Refresh Cycle Time(tRFC)	较大	较大
Row to Row Delay(tRRD)	轻微	轻微
Write Recovery Time(tWR)	轻微	轻微
Write to Read Delay(tWTR)	轻微	轻微
Read to Write Delay(tRTW)	轻微	轻微
Refresh Period(tREF)	轻微	轻微
Write CAS# Latency(tWCL)		较大
DRAM Bank Interleave	较大	较大
DQS Skew Control	轻微	轻微
DQS Skew Value	轻微	轻微
DRAM Drive Strength		较大
DRAM Data Drive Strength		较大
Max Async Latency	轻微	轻微
Read Preamble Time	轻微	轻微
Idle Cycle Limit	轻微	较大
Dynamic Counter	轻微	轻微
R/W Queue Bypass	轻微	较大
Bypass Max	轻微	轻微
32 Byte Granulation	轻微	较大